Id - непрерывный ток утечки: 100 A, Pd - рассеивание мощности: 48 W, Qg - заряд затвора: 23 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 25 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.2 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 3.6 ns, Время спада: 2.6 ns, Высота: 1.27 mm, Длина: 5.9 mm, Другие названия товара №: BSC024NE2LS BSC24NE2LSXT SP000756342, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: OptiMOS, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 55 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 5000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 19 ns, Типичное время задержки при включении: 4.1 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: TDSON-8, Ширина: 5.15 mm, Вес, г: 0.23, Бренд: Infineon Technologies
BSC024NE2LSATMA1, Транзистор МОП n-канальный, поле – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 590 ₽ за штуку. Купите BSC024NE2LSATMA1, Транзистор МОП n-канальный, поле по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить BSC024NE2LSATMA1, Транзистор МОП n-канальный, поле Infineon оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на BSC024NE2LSATMA1, Транзистор МОП n-канальный, поле вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.
BSC024NE2LSATMA1, Транзистор МОП n канальный, поле