Id - непрерывный ток утечки: 53 A, Pd - рассеивание мощности: 35 W, Qg - заряд затвора: 21 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 6.7 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 2.8 ns, Время спада: 2.6 ns, Высота: 1.27 mm, Длина: 5.9 mm, Другие названия товара №: BSC080N03LS G SP000275114, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: OptiMOS, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 30 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 5000, Серия: OptiMOS 3, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 15 ns, Типичное время задержки при включении: 3.3 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: TDSON-8, Ширина: 5.15 mm, Вес, г: 0.363, Бренд: Infineon Technologies
BSC080N03LSGATMA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 35 ₽ за штуку. Купите BSC080N03LSGATMA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить BSC080N03LSGATMA1 Infineon оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на BSC080N03LSGATMA1 вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.