Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 600в, Стиль Корпуса Транзистора: Module, Рассеиваемая Мощность: 680Вт, Полярность Транзистора: N Канал, DC Ток Коллектора: 260А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.45В, Максимальная Температура Перехода Tj: 150 C, IGBT Configuration: Dual [Half Bridge], IGBT Technology: IGBT 3 [Trench/Field Stop], IGBT Termination: Stud, Base Product Number: FF200R06 ->, Configuration: Half Bridge, Current - Collector (Ic) (Max): 260A, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, ECCN: EAR99, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: Trench Field Stop, Input: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis Mount, NTC Thermistor: No, Operating Temperature: -40В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Bulk, Package / Case: Module, Power - Max: 680W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: C ->, Supplier Device Package: Module, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V, Вес, г: 0.1, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FF200R06KE3HOSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 15 760 ₽ за штуку. Купите FF200R06KE3HOSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить FF200R06KE3HOSA1 Infineon оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FF200R06KE3HOSA1 вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.