DC Ток Коллектора: 1.825кА, IGBT Configuration: Dual, IGBT Technology: IGBT 4(Trench/Field Stop), IGBT Termination: Stud, Максимальная Температура Перехода Tj: 150 C, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 1.2кВ, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.75В, Рассеиваемая Мощность: 7.15кВт, Стиль Корпуса Транзистора: Module, Вес, г: 250, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FZ1200R12HE4HOSA2 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 129 950 ₽ за штуку. Купите FZ1200R12HE4HOSA2 по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FZ1200R12HE4HOSA2 вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.