Id - непрерывный ток утечки: 165 A, Pd - рассеивание мощности: 167 W, Qg - заряд затвора: 90 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 4.4 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 80 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.2 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 9 ns, Время спада: 29 ns, Другие названия товара №: IAUS165N08S5N029 SP001643350, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1800, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 23 ns, Типичное время задержки при включении: 13 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Reel, Cut Tape, Упаковка / блок: HSOG-8, Вес, г: 2, Бренд: Infineon Technologies
IAUS165N08S5N029ATMA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 930 ₽ за штуку. Купите IAUS165N08S5N029ATMA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IAUS165N08S5N029ATMA1 вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.