Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 9.6 mm, Длина: 38.23 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single Dual Emitter, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.3 V, Непрерывный коллекторный ток: 100 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 100 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 10, Серия: IXDN55N120, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOT-227B-4, Ширина: 25.42 mm, California Prop 65: Warning Information, Configuration: Single, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Current - Collector Cutoff (Max): 3.8mA, ECCN: EAR99, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: NPT, Input: Standard, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis Mount, NTC Thermistor: No, Operating Temperature: -40В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Power - Max: 450W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: SOT-227B, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 55A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V, Вес, г: 34, Бренд: Ixys Corporation
IXDN55N120D1 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 4 150 ₽ за штуку. Купите IXDN55N120D1 по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXDN55N120D1 Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXDN55N120D1 вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.