Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 16.26mm, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 50 A, Package Type: TO-247, Maximum Power Dissipation: 1.04 kW, Series: HiperFET, Q3-Class, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 5.3мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Height: 21.46mm, Maximum Drain Source Resistance: 145 m?, Maximum Drain Source Voltage: 600 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 V, +30 V, Количество элементов на ИС: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальный непрерывный ток стока: 50 A, Максимальное рассеяние мощности: 1,04 кВт, Серия: HiperFET, Q3-Class, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5.3мм, Высота: 21.46мм, Максимальное сопротивление сток-исток: 145 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 600 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 94 нКл при 10 В, Материал транзистора: Кремний, Тип канала: N, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
IXFH50N60P3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 500 ₽ за штуку. Купите IXFH50N60P3 по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXFH50N60P3 Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFH50N60P3 вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.