Id - непрерывный ток утечки: 36 A, Pd - рассеивание мощности: 650 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 190 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 22 ns, Высота: 26.16 mm, Длина: 19.96 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 39 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXFK36N60, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 80 ns, Типичное время задержки при включении: 30 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Ширина: 5.13 mm, Вес, г: 10, Бренд: Ixys Corporation
IXFK36N60P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 790 ₽ за штуку. Купите IXFK36N60P по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXFK36N60P Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFK36N60P вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.