Id - непрерывный ток утечки: 44 A, Pd - рассеивание мощности: 650 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 140 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 29 ns, Время спада: 27 ns, Высота: 26.16 mm, Длина: 19.96 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 32 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXFK44N50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 85 ns, Типичное время задержки при включении: 28 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Ширина: 5.13 mm, Вес, г: 9.78, Бренд: Ixys Corporation
IXFK44N50P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 140 ₽ за штуку. Купите IXFK44N50P по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXFK44N50P Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFK44N50P вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.