Id - непрерывный ток утечки: 82 A, Pd - рассеивание мощности: 625 W, Qg - заряд затвора: 240 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 78 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 23 ns, Время спада: 24 ns, Высота: 26.42 mm, Длина: 20.29 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 50 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXFL82N60, Технология: Si, Тип: PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 79 ns, Типичное время задержки при включении: 28 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Ширина: 5.21 mm, Вес, г: 8, Бренд: Ixys Corporation
IXFL82N60P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 4 940 ₽ за штуку. Купите IXFL82N60P по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXFL82N60P Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFL82N60P вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.