IXFN210N30P3 Ixys

Предлагаем вам купить "IXFN210N30P3 Ixys по выгодной цене оптом или в розницу. Артикул данного товара - "IXFN210N30P3", бренд – "Ixys". Мы осуществляем доставку по Москве и всей России; гарантируем доставку товара в срок. После оформления заказа, наша команда свяжется с Вами для подтверждения заказа и уточнения деталей доставки. Если у Вас возникли вопросы или требуется помощь в выборе товара, Вы можете связаться с нашим отделом продаж.

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 38.23mm, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 192 A, Package Type: SOT-227B, Maximum Power Dissipation: 1.5 kW, Series: HiperFET, Polar3, Mounting Type: Монтаж на панель, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 25.07mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Height: 9.6mm, Maximum Drain Source Resistance: 14.5 m?, Maximum Drain Source Voltage: 300 В, Pin Count: 4, Typical Gate Charge @ Vgs: 268 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Вес, г: 40, Бренд: Ixys Corporation

IXFN210N30P3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 6 920 ₽ за штуку. Купите IXFN210N30P3 по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFN210N30P3 Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFN210N30P3 вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.