Id - непрерывный ток утечки: 38 A, Pd - рассеивание мощности: 34 W, Qg - заряд затвора: 35 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 50 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 300 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 23 ns, Время спада: 14 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 20 ns, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 60 ns, Типичное время задержки при включении: 19 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 2.5, Бренд: Ixys Corporation
IXFP38N30X3M – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 770 ₽ за штуку. Купите IXFP38N30X3M по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXFP38N30X3M Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFP38N30X3M вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.