Id - непрерывный ток утечки: 8 A, Pd - рассеивание мощности: 33 W, Qg - заряд затвора: 17 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 850 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 850 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 23 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 2.7 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 32 ns, Типичное время задержки при включении: 15 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 2.5, Бренд: Ixys Corporation
IXFP8N85XM – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 420 ₽ за штуку. Купите IXFP8N85XM по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXFP8N85XM Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFP8N85XM вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.