Id - непрерывный ток утечки: 94 A, Pd - рассеивание мощности: 1040 W, Qg - заряд затвора: 102 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 36 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 300 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 19 ns, Время спада: 11 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single Dual Drain, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 40 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXFT94N30, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 49 ns, Типичное время задержки при включении: 23 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268-3, Вес, г: 4, Бренд: Ixys Corporation
IXFT94N30P3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 770 ₽ за штуку. Купите IXFT94N30P3 по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXFT94N30P3 Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFT94N30P3 вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.