Id - непрерывный ток утечки: 200 mA, Pd - рассеивание мощности: 83 W, Qg - заряд затвора: 7.4 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 450 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 2.5 kV, Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 19 ns, Время спада: 33 ns, Высота: 21.46 mm, Длина: 16.26 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 88 mS, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXTH02N250, Технология: Si, Тип: High Voltage Power MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 32 ns, Типичное время задержки при включении: 19 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка / блок: TO-247-3, Ширина: 5.3 mm, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
IXTH02N250 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 810 ₽ за штуку. Купите IXTH02N250 по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXTH02N250 Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXTH02N250 вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.