Pd - рассеивание мощности: 230 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.66 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 65 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 30 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXXH30N65, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247AD-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Collector (Ic) (Max): 65A, Current - Collector Pulsed (Icm): 146A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 52nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power - Max: 230W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: GenX4в„ў, XPTв„ў ->, Supplier Device Package: TO-247 (IXXH), Switching Energy: 1.55mJ (on), 480ВµJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 32ns/170ns, Test Condition: 400V, 30A, 15Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
IXXH30N65B4 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 530 ₽ за штуку. Купите IXXH30N65B4 по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXXH30N65B4 Ixys оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXXH30N65B4 вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.