Base Product Number: APT33GF120 ->, Current - Collector (Ic) (Max): 64A, Current - Collector Pulsed (Icm): 75A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 170nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: NPT, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Power - Max: 357W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: RoHS Compliant, Switching Energy: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 14ns/185ns, Test Condition: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 1, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Торговая марка: Microchip / Microsemi, Упаковка: Tube, Бренд: Microchip Technology
APT33GF120B2RDQ2G – артикул товара бренда Microchip с розничной ценой 6 810 ₽ за штуку. Купите APT33GF120B2RDQ2G по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Microchip для наших постоянных клиентов.
Купить APT33GF120B2RDQ2G Microchip оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Microchip и уточнить персональную цену на APT33GF120B2RDQ2G вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.