Pd - рассеивание мощности: 366 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 5.31 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 175 C, Длина: 21.46 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток: 107 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 107 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 107 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 1, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA, Торговая марка: Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Ширина: 16.26 mm, Бренд: Microchip Technology
APT50GN60BG – артикул товара бренда Microchip с розничной ценой 1 860 ₽ за штуку. Купите APT50GN60BG по специальной цене оптом или в розницу в компании . Специальная цена распространяется на всю продукцию Microchip для наших постоянных клиентов.
Купить APT50GN60BG Microchip оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Microchip и уточнить персональную цену на APT50GN60BG вы сможете, позвонив по номеру, указанному вверху страницы.